发明名称 凸块化晶圆之晶背研磨制程
摘要 一种凸块化晶圆之晶背研磨制程,一晶圆系具有在其主动面之复数个凸块,在研磨该晶圆之背面之前,将一热熔性胶层形成于该晶圆之主动面,该热熔性胶层系经热处理而黏着于该主动面且包覆该些凸块,并以一研磨胶带黏着该热熔性胶层,在研磨该晶圆之背面之后,可移除该研磨胶带,但仍保留该晶圆上热熔性胶层于一晶圆切割步骤中,该热熔性胶层应具有弹性与透光性且对该晶圆之黏着良好。
申请公布号 TWI320583 申请公布日期 2010.02.11
申请号 TW092137202 申请日期 2003.12.26
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 蔡裕斌
分类号 H01L21/302 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人 张启威
主权项 一种凸块化晶圆之晶背研磨制程,其系包含有:提供一凸块化晶圆,该晶圆系具有一主动面及一对应之背面,其中该主动面系形成有复数个凸块;形成一热熔性胶层〔Hot Melt Adhesive,HMA〕于该晶圆之主动面,该热熔性胶层系经热处理而黏着于该主动面并包覆该些凸块,且该热熔性胶层系包覆每一凸块表面积之百分之六十以上;提供一研磨胶带于该晶圆之主动面,该研磨胶带系黏着于该热熔性胶层;研磨该晶圆之背面;贴设一切割胶带于该晶圆之背面;移除该研磨胶带,而该热熔性胶层仍黏着于该晶圆之主动面;切割该晶圆成复数个在该切割胶带上之晶片;及以溶剂移除该热熔性胶层,以显露出该些晶片之凸块。
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号