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Ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu seiner Herstellung umfassen das Ausbilden einer zweiten kupferplattierten Schicht über einer zweiten IMD-Schicht und in einer zweiten Öffnung durch einen Galvanisierprozess, der die freiliegende erste kupferplattierte Schicht als Keimschicht verwendet. Mit dem Verfahren kann die kupferplattierte Schicht einfacher und schneller ausgebildet werden und bessere Spaltfülleigenschaften erhalten.
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