发明名称 声波装置、发射设备和声波装置制作方法
摘要 本发明提供了一种声波装置、发射设备和声波装置制作方法。一种第一声波装置包括第二声波装置。该第二声波装置包括由压电材料制成的衬底、形成在衬底上的一对交叉指型电极以及调整介质,其中每个交叉指型电极包括多个电极指。该调整介质至少包括第一单层并且形成在这一对交叉指型电极的至少一部分上。调整介质包括厚部分以及厚度为零或者比厚部分更薄的薄部分,厚部分的面积与根据预定特性值所确定的区域相对,该面积包括交叉指型电极以及相邻的电极指之间的多个面积。
申请公布号 CN101640521A 申请公布日期 2010.02.03
申请号 CN200910160971.1 申请日期 2009.07.31
申请人 富士通株式会社 发明人 松田聪;三浦道雄;松田隆志
分类号 H03H9/25(2006.01)I;H03H9/64(2006.01)I;H03H3/10(2006.01)I 主分类号 H03H9/25(2006.01)I
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人 赵 飞;南 霆
主权项 1.一种第一声波装置,包括:第二声波装置,包括:由压电材料制成的衬底,形成在所述衬底上的一对交叉指型电极,每个所述交叉指型电极包括多个电极指,以及调整介质,所述调整介质包括至少一个单层并且形成在该对所述交叉指型电极的至少一部分上,所述调整介质包括厚部分以及厚度为零或者比所述厚部分更薄的薄部分,所述厚部分的面积与根据预定特性值所确定的区域相对,所述面积包括所述交叉指型电极以及相邻的所述电极指之间的多个空间。
地址 日本神奈川县