| 发明名称 | 掩模及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种在曝光工艺中使用的掩模及其制造方法，该掩模包括：形成于光刻版衬底上方的主图样；形成于光刻版衬底上方且与主图样隔离开预定距离的多个虚拟图样；以及形成于多个虚拟图样中的至少一个上方的光屏蔽层。虚拟图样可以包括一个精细虚拟图样，该精细虚拟图样具有的分辨率等于或小于极限分辨率，以便在曝光工艺期间不在晶片上形成图样图像。 | ||
| 申请公布号 | CN101639625A | 申请公布日期 | 2010.02.03 |
| 申请号 | CN200910158968.6 | 申请日期 | 2009.07.13 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 金锺斗 |
| 分类号 | G03F1/14(2006.01)I;G03F1/08(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李丙林;张 英 |
| 主权项 | 1.一种掩模，包括：主图样，形成于光刻版衬底上方；多个虚拟图样，形成于所述光刻版衬底上方并且以预定的距离与所述主图样隔离开；以及光屏蔽层，形成于所述多个虚拟图样中的至少一个的上方。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||