发明名称 |
半导体开关和配备半导体开关的功率转换系统 |
摘要 |
一种半导体开关,配备有:主元件,具有反向导通性,并用作具有高耐受电压的电压驱动开关元件;辅助元件,用作具有低于所述主元件的耐受电压的电压驱动开关元件;以及高速续流二极管,具有等于主元件的耐受电压,其中,主元件的负极连接到辅助元件的负极以便把主元件的正极定义为正极端子,并把辅助元件的正极定义为负极端子,并且,高速续流二极管并联在正极端子和负极端子之间,以使从负极端子向正极端子的方向构成为正向。 |
申请公布号 |
CN101632214A |
申请公布日期 |
2010.01.20 |
申请号 |
CN200880007881.2 |
申请日期 |
2008.02.04 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
饼川宏;小山建夫;葛卷淳彦;津田纯一 |
分类号 |
H02M1/08(2007.01)I;H02M7/5387(2007.01)I |
主分类号 |
H02M1/08(2007.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
杜 娟 |
主权项 |
1.一种半导体开关,包含:主元件,具有反向导通性,并用作具有高耐受电压的电压驱动开关元件;辅助元件,用作具有低于主元件的耐受电压的电压驱动开关元件;以及高速续流二极管,具有等于主元件的耐受电压;其中,主元件的负极连接到辅助元件的负极,以便把主元件的正极定义为正极端子并把辅助元件的正极定义为负极端子,并且,高速续流二极管并联在正极端子和负极端子之间,以使从负极端子向正极端子的方向构成为正向。 |
地址 |
日本东京都 |