| 发明名称 | 一种采用启动带电路的NMOS功率开关管驱动电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种采用启动带电路的功率开关管驱动电路，包括带第一NMOS管的高电压边的功率开关管、带肖特基二极管的低电压边的功率开关管，以及用于驱动所述的第一NMOS管的启动带电路，其特征在于，所述的启动带电路由第一PMOS管和第一电容组成，其中第一PMOS管的漏极外接驱动电压，第一PMOS管的衬极和源极均接入第一电容的第一极端，第一电容的第二极端连接第一NMOS管的源极。本发明功率开关管驱动电路提供较高的NMOS管栅-源电压，减小了NMOS功率开关管的导通电阻，降低输出电压的损耗。另外，启动带电路中采用PMOS管代替原来的二极管，降低了正向导通电阻和压降，减小了损耗。 | ||
| 申请公布号 | CN101630956A | 申请公布日期 | 2010.01.20 |
| 申请号 | CN200910101779.5 | 申请日期 | 2009.08.17 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 何乐年;邱建平;叶益迭;宁志华 |
| 分类号 | H03K19/0185(2006.01)I;H02M1/08(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/0185(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 胡红娟 |
| 主权项 | 1、一种采用启动带电路的功率开关管驱动电路，包括带第一NMOS管的高电压边的功率开关管、带肖特基二极管的低电压边的功率开关管，以及用于驱动所述的第一NMOS管的启动带电路，其特征在于，所述的启动带电路由第一PMOS管和第一电容(CBS)组成，其中第一PMOS管的漏极外接驱动电压，第一PMOS管的衬极和源极均接入第一电容(CBS)的第一极端，第一电容(CBS)的第二极端连接第一NMOS管的源极。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||