| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件和制造所述半导体器件的方法，所述方法能够防止在相邻存储节点之间发生倾斜现象。所述方法包括：形成多个多层柱状物型存储节点，每一个节点均掩埋在多个模层中，其中所述多层柱状物型存储节点的最上层由支撑层固定；蚀刻支撑层的一部分以形成开口；和通过所述开口供给蚀刻溶液以移除所述多个模层。通过实施沉积和蚀刻模层的工艺2次或更多次来形成所述多层柱状物型存储节点。因此，充分确保期望的电容并避免相邻存储节点之间的倾斜现象。 | ||
| 申请公布号 | CN101630661A | 申请公布日期 | 2010.01.20 |
| 申请号 | CN200910008586.5 | 申请日期 | 2009.02.03 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李起正;卢载盛;吉德信;金荣大;金珍赫;都官佑;朴京雄;李正烨 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成多个多层柱状物型存储节点，所述多层柱状物型存储节点的每一个掩埋在多个模层中，其中所述多层柱状物型存储节点的最上层由支撑层固定；蚀刻所述支撑层的一部分以形成开口；和通过所述开口供给蚀刻溶液以移除所述多个模层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||