发明名称 |
低电压CMOS带隙基准电压源 |
摘要 |
本发明公开了一种低电压CMOS带隙基准电压源,属于电源及微电子技术领域。所述CMOS带隙基准电压源包括:低电压放大器,用于在低电源电压下实现负反馈;一阶温度补偿产生电路,与低电压放大器相连,用于在低电源电压下,产生能够进行一阶温度补偿的电流项;高阶温度补偿产生电路,与低电压放大器相连,用于在低电源电压下,产生能够进行高阶温度补偿的电流项;输出电压产生电路,用于产生输出电压。本发明提供的在低电源电压下工作CMOS带隙基准电压源,将低电压放大器分别引入基准电压源的一阶补偿项和高阶补偿项中,然后比例求和并输出参考电压,从而保证了整个电路工作在很低的电源电压下。 |
申请公布号 |
CN101630176A |
申请公布日期 |
2010.01.20 |
申请号 |
CN200910304881.5 |
申请日期 |
2009.07.28 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所;北京中科微电子技术有限公司 |
发明人 |
范涛;袁国顺 |
分类号 |
G05F3/30(2006.01)I |
主分类号 |
G05F3/30(2006.01)I |
代理机构 |
北京市德权律师事务所 |
代理人 |
王建国 |
主权项 |
1.一种低电压CMOS带隙基准电压源,其特征在于,包括:低电压放大器,用于在低电源电压下实现负反馈;一阶温度补偿产生电路,与所述低电压放大器相连,用于在低电源电压下,产生进行一阶温度补偿的电流项;高阶温度补偿产生电路,与所述低电压放大器相连,用于在低电源电压下,产生进行高阶温度补偿的电流项;输出电压产生电路,与所述一阶温度补偿产生电路和高阶温度补偿产生电路相连,用于产生输出电压。 |
地址 |
100029北京市北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 |