发明名称 低电压CMOS带隙基准电压源
摘要 本发明公开了一种低电压CMOS带隙基准电压源,属于电源及微电子技术领域。所述CMOS带隙基准电压源包括:低电压放大器,用于在低电源电压下实现负反馈;一阶温度补偿产生电路,与低电压放大器相连,用于在低电源电压下,产生能够进行一阶温度补偿的电流项;高阶温度补偿产生电路,与低电压放大器相连,用于在低电源电压下,产生能够进行高阶温度补偿的电流项;输出电压产生电路,用于产生输出电压。本发明提供的在低电源电压下工作CMOS带隙基准电压源,将低电压放大器分别引入基准电压源的一阶补偿项和高阶补偿项中,然后比例求和并输出参考电压,从而保证了整个电路工作在很低的电源电压下。
申请公布号 CN101630176A 申请公布日期 2010.01.20
申请号 CN200910304881.5 申请日期 2009.07.28
申请人 中国科学院微电子研究所;北京中科微电子技术有限公司 发明人 范涛;袁国顺
分类号 G05F3/30(2006.01)I 主分类号 G05F3/30(2006.01)I
代理机构 北京市德权律师事务所 代理人 王建国
主权项 1.一种低电压CMOS带隙基准电压源,其特征在于,包括:低电压放大器,用于在低电源电压下实现负反馈;一阶温度补偿产生电路,与所述低电压放大器相连,用于在低电源电压下,产生进行一阶温度补偿的电流项;高阶温度补偿产生电路,与所述低电压放大器相连,用于在低电源电压下,产生进行高阶温度补偿的电流项;输出电压产生电路,与所述一阶温度补偿产生电路和高阶温度补偿产生电路相连,用于产生输出电压。
地址 100029北京市北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所
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