Structure and method for forming a thick bottom dielectric (TBD) for trench-gate devices

摘要

Ein Halbleiteraufbau, der einen FET mit Trench-Gate umfasst, wird wie folgt ausgebildet. Es werden mehrere Gräben in einem Halbleitergebiet unter Verwendung einer Maske ausgebildet. Die Maske umfasst (i) eine erste Isolierschicht über einer Fläche des Halbleitergebiets, (ii) eine erste Oxidationsbarrierenschicht über der ersten Isolierschicht, und (iii) eine zweite Isolierschicht über der ersten Oxidationsbarrierenschicht. Entlang dem Boden jedes Grabens wird ein dickes Bodendielektrikum (TBD) ausgebildet. Die erste Oxidationsbarrierenschicht verhindert die Ausbildung einer Dielektrikumschicht entlang der Fläche des Halbleitergebiets während der Ausbildung des TBD.