Verfahren zum Herstellen einer einkristallinen Schicht

摘要

Bei einem Verfahren zum Herstellen einer einkristallinen Schicht mit einer ersten Gitterkonstanten auf einem einkristallinen Substrat, das zumindest in einem oberflächennahen Bereich eine zweite Gitterkonstante aufweist, die sich von der ersten Gitterkonstanten unterscheidet, werden in den oberflächennahen Bereich Gitteranpassungsatome implantiert. Der oberflächennahe Bereich wird kurzzeitig aufgeschmolzen und auf dem einkristallin erstarrten oberflächennahen Bereich wird eine Schicht epitaktisch abgeschieden.