| 发明名称 | 包括驱动晶体管的半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种包括驱动晶体管的半导体装置。一种半导体装置包括在衬底中限定的驱动有源区和在该驱动有源区处设置的至少三个驱动晶体管。所述驱动晶体管共享一个公共源极/漏极，并且每个驱动晶体管包括相互独立的单独源极/漏极。所述公共源极/漏极和单独源极/漏极被设置在驱动有源区中。 | ||
| 申请公布号 | CN101626021A | 申请公布日期 | 2010.01.13 |
| 申请号 | CN200910140192.5 | 申请日期 | 2009.07.10 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李世薰;李忠浩;崔晶东;金泰瑢;金宇中;张桐熏;尹永培;金基玄;刘民胎 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李 佳;穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：被限定在衬底中的驱动有源区；以及被设置在所述驱动有源区中的至少三个驱动晶体，其中，所述至少三个驱动晶体管共享一个公共源极/漏极；所述至少三个驱动晶体管分别包括至少三个单独源极/漏极；所述至少三个单独源极/漏极相互独立；以及所述公共源极/漏极和所述至少三个单独源极/漏极被设置在所述驱动有源区中。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||