| 发明名称 | 利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法 | ||
| 摘要 | 一种利用光辅助氧化湿法刻蚀III族氮化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：利用标准的光刻工艺在III族氮化物表面制作有图案的紫外光掩蔽层；步骤2：将表面上制作有图案的紫外光掩蔽层的III族氮化物置于高能紫外光下曝光，使具有图案的暴露的III族氮化物在紫外光辅助下发生氧化，生成金属氧化物；步骤3：去除掩蔽层；步骤4：将曝光后的III族氮化物的样品放在酸或碱性溶液中，将生成的金属氧化物完全腐蚀掉，形成带有图案的刻蚀台阶，完成湿法刻蚀III族氮化物的工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN101625971A | 申请公布日期 | 2010.01.13 |
| 申请号 | CN200810116414.5 | 申请日期 | 2008.07.09 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 刘文宝;孙苋;赵德刚;刘宗顺;张书明;朱建军;杨辉 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种利用光辅助氧化湿法刻蚀III族氮化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：利用标准的光刻工艺在III族氮化物表面制作有图案的紫外光掩蔽层；步骤2：将表面上制作有图案的紫外光掩蔽层的III族氮化物置于高能紫外光下曝光，使具有图案的暴露的III族氮化物在紫外光辅助下发生氧化，生成金属氧化物；步骤3：去除掩蔽层；步骤4：将曝光后的III族氮化物的样品放在酸或碱性溶液中，将生成的金属氧化物完全腐蚀掉，形成带有图案的刻蚀台阶，完成湿法刻蚀III族氮化物的工艺。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||