噪声防护电路

摘要

噪声防护电路，包含设置于半导体基底中的第一N井区、第一N+扩散区域、第一P+扩散区域、第二N+扩散区域、第二N井区、第三P+扩散区域、以及第四P+扩散区域。该第一N+扩散区域设置于该第一N井区内。该第一P+扩散区域及该第二N+扩散区域，分别为N型二极管的阳极以及阴极，位于该第一N井区的第一侧。该第二N井区位于该第一N井区的第二侧。该第三P+扩散区域，以及该第四P+扩散区域，设置于该第二N井区内，且两者之间的表面上方设置有闸极。

主权项

1.一种噪声防护电路，其包含有：半导体基底；第一N井区，设置于所述半导体基底中；第一N+扩散区域，设置于所述第一N井区内，耦接于第一电源；第一P+扩散区域，设置于所述半导体基底内，耦接于所述第一电源，位于所述第一N井区的第一侧，所述第一P+扩散区域为N型二极管的阳极；第二N+扩散区域，位于所述第一N井区的第一侧，为所述N型二极管的阴极；第二N井区，设置于所述半导体基底中，位于所述第一N井区的第二侧；第三N+扩散区域，设置于所述第二N井区内，耦接于第二电源；第三P+扩散区域以及第四P+扩散区域，设置于所述第二N井区内；以及闸极，设置于所述第三P+扩散区域与所述第四P+扩散区域之间的所述第二N井区的上方。