非挥发性记忆体

摘要

一种非挥发性记忆体，其系由基底、电荷储存层、控制闸极层、源极区与汲极区所构成。其中电荷储存层配置在基底上，控制闸极层配置在电荷储存层上。源极区与汲极区分别配置在控制闸极层侧边之基底中。而且，藉由在靠近源极区或汲极区的电荷储存层中施加一应力，可以改变电荷储存层之局部区域的性质，进而程式化非挥发性记忆体。

主权项

一种非挥发性记忆体，包括：一基底；一电荷储存层，配置在该基底上；一控制闸极层，配置在该电荷储存层上；以及一源极区与一汲极区，分别配置在该控制闸极层侧边之该基底中，其中藉由在靠近该源极区或该汲极区的该电荷储存层中施加一应力，可以改变该电荷储存层之局部区域的一性质，进而程式化该非挥发性记忆体。