| 发明名称 | 红色表面发射激光器元件、图像形成装置和图像显示设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及红色表面发射激光器元件、图像形成装置和图像显示设备。红色表面发射激光器元件包括：第一反射器；包括p型半导体多层膜的第二反射器；在第一反射器和第二反射器之间的活性层；在活性层和第二反射器之间的P型半导体间隔层，该p型半导体间隔层具有大于等于100nm且小于等于350nm的厚度；以及在所述p型半导体间隔层和所述活性层之间的另一个间隔层，所述另一个间隔层是杂质浓度比所述p型半导体间隔层低的半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN101621180A | 申请公布日期 | 2010.01.06 |
| 申请号 | CN200910164918.9 | 申请日期 | 2008.02.14 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 竹内哲也;内田护;宫本智之;小山二三夫 |
| 分类号 | H01S5/18(2006.01)I;H01S5/183(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I;G03G15/00(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 吴丽丽 |
| 主权项 | 1.一种红色表面发射激光器元件，包括：第一反射器；包括p型半导体多层膜的第二反射器；在所述第一反射器和所述第二反射器之间的活性层；在所述活性层和所述第二反射器之间的P型半导体间隔层，所述p型半导体间隔层具有大于等于100nm且小于等于350nm的厚度；和在所述p型半导体间隔层和所述活性层之间的另一个间隔层，所述另一个间隔层是杂质浓度比所述p型半导体间隔层低的半导体层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||