| 发明名称 | 玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法，用于对玻璃钝化硅晶圆进行切割，该方法包括有如下步骤：在玻璃钝化硅晶圆背面制作与玻璃钝化硅晶圆正面的沟槽位置一一对应的定位切割道，使用激光沿玻璃钝化硅晶圆背面的定位切割道进行切割，以及分离芯片晶粒。借由本发明中的背面激光切割方法，可以提高玻璃钝化硅晶圆器件的电学性能，并且切割速度快，无崩碎现象。 | ||
| 申请公布号 | CN101621026A | 申请公布日期 | 2010.01.06 |
| 申请号 | CN200910162147.X | 申请日期 | 2009.08.05 |
| 申请人 | 武汉华工激光工程有限责任公司 | 发明人 | 李轶;赵宇;闵大勇;卢飞星 |
| 分类号 | H01L21/78(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I;B23K26/38(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐乐慧 |
| 主权项 | 1、一种玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法，其特征在于，所述激光切割方法包括有如下步骤：1)在所述玻璃钝化硅晶圆背面制作与所述玻璃钝化硅晶圆正面的沟槽位置一一对应的定位切割道，2)使用激光沿玻璃钝化硅晶圆背面的定位切割道进行切割，3)分离芯片晶粒。 | ||
| 地址 | 430223湖北省武汉市东湖高新技术开发区华中科技大学科技园华工科技激光产业园 | ||