发明名称 真空处理装置
摘要 本文公开了一种真空处理装置,其用于在基片上进行蚀刻处理或喷镀处理,例如用于液晶显示屏(LCD)面板的玻璃上,半导体晶片上,等等,其包括一上盖和一下盖,该上盖和下盖彼此相互连接,用上盖和下盖之间形成的空隙组成真空处理空间,一腔体密封单元通过密封或解封空隙来密封和解封真空处理单元;以及一空隙保持单元用来维持空隙,该空隙保持单元安装在上盖和下盖上。
申请公布号 CN100578732C 申请公布日期 2010.01.06
申请号 CN200710188366.6 申请日期 2006.01.17
申请人 IPS有限公司 发明人 车勋;金亨俊;严用铎;李珠熙;韩在柄;曹生贤;尹大根
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;H05H1/00(2006.01)I;B01J3/03(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 北京中安信知识产权代理事务所 代理人 张小娟;徐 林
主权项 1.一真空处理装置,该装置包括:一上盖和一下盖,该上盖和下盖彼此相互连接,用上盖和下盖之间形成的空隙组成真空处理空间;一腔体密封单元通过密封或解封空隙来密封和解封真空处理单元;以及一空隙保持单元,通过支撑上盖用来维持上盖和下盖之间的空隙,该空隙保持单元安装在上盖和下盖上;其中,腔体密封单元包括一个密封臂,通过移动该密封臂并与上盖和下盖的表面紧密接触密封真空处理空间。
地址 韩国京畿道平泽市芝制洞33