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发明名称
非单晶形矽金共晶键合结构
摘要
一种非单晶形矽金共晶键合方法,系利用镀膜或成长之方式提供非单晶形矽与金接触产生共晶反应进行键合。其键合层为一金矽共晶合金结构,本发明不仅可控制矽之析出,亦可得到品质更好、反应更均匀及更快速之晶圆键合成品,以改善键合后电子元件之电性与可靠度。
申请公布号
TWI319202
申请公布日期
2010.01.01
申请号
TW095145637
申请日期
2006.12.07
申请人
国立中央大学
发明人
刘正毓;陈柏翰;林京亮
分类号
H01L21/00
主分类号
H01L21/00
代理机构
代理人
欧奉璋
主权项
一种非单晶形矽金共晶键合结构,其至少包括下列步骤:(A)选择一第一矽基板;(B)在该第一矽基板上成长一非单晶形矽薄膜;(C)另取一镀有一阻障层(Barrier)及一金(Au)之第二基板;以及(D)将该非单晶形矽薄膜与该金接触产生共晶反应并进行键合,以获得一键合介面反应均匀及反应速率快之键合结构。
地址
桃园县中坜市中大路300号
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