| 主权项 |
1.一种不同工艺规则SRAM图形的快速修改方法，其特征是：该方法包括以下步骤：第一步，建立一个SRAM Cell库，该SRAM Cell库中存储着所有可实施的SRAM Cell版图数据，该SRAM Cell库是以GDSII格式存储的；第二步，同时读入待修改的版图文件和SRAM Cell库，查找出这两个GDSII文件中的每一个SRAM Cell；第三步，利用GDSII文件的阶层化结构，以二维图形的布尔运算为基础，比较待修改的版图文件中的一个SRAM Cell和SRAM Cell库中的每一个SRAM Cell，直至找出与待修改的版图文件中的SRAM Cell相似的SRAMCell库中的SRAM Cell；第四步，将待修改的版图文件中的SRAM Cell以SRAM Cell库中的与之相似的SRAM Cell进行替换；第五步，重复上述第三步至第四步，直至待修改的版图文件中的每一个SRAM Cell都找出了与之相似的SRAM Cell库中的SRAM Cell，并以SRAMCell库中的与之相似的SRAM Cell进行替换；上述第三步中，比较两个SRAM Cell是否相似包括以下步骤：第1步，比较两个SRAM Cell的层数，如果层数不相同，则判定为不相似；如果层数相同，则继续进行比较；第2步，两个SRAM Cell中的第一层图形分别与自身进行或运算，然后计算两个SRAM Cell中与自身进行过或运算的第一层图形的面积，将其中较大的面积值设为A；第3步，对两个SRAM Cell中与自身进行过或运算的第一层图形进行与运算，将运算所得图形的面积值设为B；第4步，计算误差图形面积λ，λ＝|A-B|/A；第5步，为λ值设定一个上限，如果λ值在该上限外，则判定为不相似；如果λ值在该上限内，则继续进行比较；第6步，对两个SRAM Cell中的第二层图形、第三层图形……第n层图形重复上述第二步至第五步，直至两个SRAM Cell的所有相同层比较完毕，如果所有相同层的λ值都在该上限内，则判定为相似；如果有任何λ值在该上限外，则判定为不相似。 |
