| 发明名称 | 氮化物半导体基板 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种氮化物半导体基板(1)，其具有GaN系半导体层(6)和在GaN系半导体层6上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的埋入层(7)，其中，GaN系半导体层(6)是在基底层(4)上生长、沿厚度方向的截面基本上为三角形状、且GaN系半导体层(6)呈周期性的条纹状、在条纹的斜面上设置有凹凸面(62)的层。 | ||
| 申请公布号 | CN101617388A | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
| 申请号 | CN200880005796.2 | 申请日期 | 2008.03.17 |
| 申请人 | 浜松光子学株式会社 | 发明人 | 吉田治正;高木康文;桑原正和 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1.氮化物半导体基板，其特征在于，具有：GaN系半导体层，该GaN系半导体层在基底层上生长，沿厚度方向的截面基本上为三角形状，且所述GaN系半导体层呈周期性的条纹状，在该条纹的斜面上设置有凹凸面；以及在所述GaN系半导体层上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的埋入层。 | ||
| 地址 | 日本静冈县 | ||