发明名称 提供自适应补偿的低压降电压调节器
摘要 本发明提供用于动态地改变低压降(LDO)电压调节器的内部补偿的方法和装置。LDO电压调节器包含一输出传递晶体管、一误差放大器、一偏压晶体管和一补偿网络。补偿网络连接在输出传递晶体管的一栅极与一漏极之间以补偿反馈回路。补偿网络和偏压晶体管产生极点-零点对,从而在到达交越频率前在LDO电压调节器中执行一最大45度的相移。因此,在各种负载条件下,为反馈回路提供最小45度的相位裕度。此外,LDO电压调节器中所产生的极点-零点对根据负载条件而自适应地调整,使得带宽被最优化且实现更快的瞬态响应。
申请公布号 CN100574065C 申请公布日期 2009.12.23
申请号 CN200480042859.3 申请日期 2004.05.26
申请人 崇贸科技股份有限公司 发明人 杨大勇;林振宇;陈建良
分类号 H02M3/00(2006.01)I 主分类号 H02M3/00(2006.01)I
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人 寿 宁
主权项 1、一种低压降电压调节器,其特征在于其包括:输入未经调节的直流的输入端子;输出经调节的直流的输出端子,其供应输出电流给输出负载,其中所述输出负载从所述输出端子耦接到参考接地电平;输出传递晶体管,其供电给所述输出端子,其中所述输出传递晶体管具有耦接到所述输入端子的源极,且所述输出传递晶体管具有连接到所述输出端子的漏极;误差放大器,用于控制所述输出传递晶体管的栅极,其中所述误差放大器的负输入端接入参考电压,所述误差放大器的正输入端接入所述输出端子处的电压的分压电压;偏压晶体管,其耦接在所述误差放大器的输出端与所述输出传递晶体管的所述栅极之间,其中所述偏压晶体管的漏极耦接到所述输出传递晶体管的所述栅极;补偿网络,其耦接在所述输出传递晶体管的所述栅极与所述漏极之间,用于频率补偿;镜像晶体管,用于产生与所述输出电流成比例的镜像电流,其中所述镜像晶体管的源极耦接到所述输出传递晶体管的所述源极,其中所述镜像晶体管的栅极耦接到所述输出传递晶体管的所述栅极,其中从所述镜像晶体管的漏极产生所述镜像电流;第一可编程电流源,其产生与所述镜像电流成比例的第一镜像电流;第一镜像晶体管,用于响应所述第一镜像电流而决定所述补偿网络的阻抗,其中所述第一镜像晶体管的栅极与漏极彼此耦接以形成电流镜,其中所述第一镜像晶体管的所述漏极耦接到所述第一可编程电流源,以及所述第一镜像晶体管的源极耦接到所述输出端子;第二可编程电流源,其产生与所述镜像电流成比例的第二镜像电流;以及第二镜像晶体管,用于响应所述第二镜像电流而决定所述偏压晶体管的阻抗,其中所述第二镜像晶体管的一源极以及所述偏压晶体管的源极耦接到所述误差放大器的所述输出端,其中所述偏压晶体管的栅极、所述第二镜像晶体管的栅极以及所述第二镜像晶体管的漏极耦接到所述第二可编程电流源,其中所述补偿网络还包括:第一部分,其具有彼此串联耦接的第一电容器和第一晶体管,其中所述第一电容器耦接在所述输出传递晶体管的所述栅极与所述第一晶体管的漏极之间,其中所述第一晶体管的源极耦接到所述输出传递晶体管的所述漏极;第二部分,其并联耦接到所述第一晶体管,其中所述第二部分包括彼此串联耦接的第二电容器和第二晶体管,其中第二电容器耦接在所述第二晶体管的漏极与所述第一晶体管的所述漏极之间;以及分配网络,所述分配网络并联耦接到所述第二晶体管,其中所述分配网络包括多对电容器和晶体管,且所述多对电容器和晶体管中的每一对中的电容器和晶体管彼此串联耦接,所述多对电容器和晶体管用第1对电容器和晶体管、第2对电容器和晶体管、......、第N对电容器和晶体管来表示,其中N为正整数,其中所述第1对电容器和晶体管并联耦接到所述第二晶体管,第2对电容器和晶体管并联耦接到所述第1对电容器和晶体管中的晶体管,第3对电容器和晶体管并联耦接到所述第2对电容器和晶体管中的晶体管,依此类推,以及所述多对彼此串联耦接的电容器和晶体管中的所述晶体管的漏极分别串联耦接到对应的所述电容器,其中所述第一镜像晶体管、所述第二晶体管以及所述分配网络中的晶体管的源极耦接到所述输出传递晶体管的所述漏极,其中所述第一晶体管、第二晶体管以及所述分配网络中的晶体管的栅极耦接到所述第一镜像晶体管的所述栅极。
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