发明名称 原子层沉积系统和方法
摘要 本发明公开了使用原子层沉积(ALD)来沉积薄膜的系统和方法。沉积系统(10)包括具有周侧壁(36)的处理室(16)、将处理室(16)内的处理空间(38)划分成至少两个隔室(76、78)的隔断部(68、70、72、74)、以及支撑处理空间(38)内的衬底(15)的盘体(50)。盘体(50)使衬底(15)相对于静止的周侧壁(36)和隔室(76、78)转动。一个隔室(76)接收用于在每个衬底(15)上沉积膜的处理材料,并且另一个隔室(78)含有惰性气体。注入处理材料的材料注入器(100、100a、100b)通过周侧壁(36)与隔室(76)相连通。
申请公布号 CN101611167A 申请公布日期 2009.12.23
申请号 CN200880004827.2 申请日期 2008.02.11
申请人 东京毅力科创株式会社 发明人 安东尼·迪朴
分类号 C23C16/455(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I 主分类号 C23C16/455(2006.01)I
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人 柳春雷;南 霆
主权项 1.一种用于处理多个衬底的沉积系统,所述沉积系统包括:处理室,其包括第一壁、与所述第一壁间隔的第二壁、以及将所述第一壁和所述第二壁连接的周侧壁,从而界定出处理空间;衬底支撑,其被设置在所述第一壁和所述第二壁之间并在所述周侧壁的径向内部,所述衬底支撑被构造为使所述衬底绕旋转轴线相对于所述周侧壁转动;多个隔断部,其每个从所述旋转轴线朝向所述周侧壁径向地延伸,所述隔断部将所述处理空间划分为第一隔室和第二隔室,并且所述第二隔室被构造为包含惰性气氛;以及第一注入器,其通过所述周侧壁而与所述第一隔室相连通,所述第一注入器被构造为将第一处理材料注入到所述第一隔室中;其中,所述衬底支撑使每个所述衬底移动,以使每个所述衬底的顶表面相继地暴露于所述第一隔室中的所述第一处理材料和所述第二隔室中的所述惰性气氛。
地址 日本东京都
您可能感兴趣的专利