Infrared detector and its manufacturing process.

摘要

Ein Infrarot-Halbleiter-Detektor mit einem ladungstrennenden pn-Übergang soll mit geringem Aufwand und mit geringen Kosten hergestellt werden können. Der ladungstrennende pn-Übergang ist näher an der dem Lichteinfall abgewandten Seite des Detektors als an der dem Lichteinfall zugewandten Seite des Detektors angeordnet.