位于混晶型经定位基材上之高效能互补金属氧化物半导体（CMOS）型及绝缘体上积矽（SOI）型装置

摘要

本发明提供一种积体半导体结构，其包括：至少一装置，其形成于一最佳化适用于该装置的第一结晶表面上；另一装置，其形成于一最佳化适用于该另一装置的第二不同结晶表面上。形成该积体结构之方法包括：提供结合基材，其至少包括一具有第一结晶配向之第一半导体层及一具有第二不同结晶配向之第二半导体层。该结合基材之一部分受保护以界定第一装置区域，而该结合基材之另一部分未受保护。接着蚀刻该结合基材之未受保护之部分，藉此曝露该第二半导体层之表面且在经曝露之表面上再生一半导体材料。平坦化之后，在该第一装置区域中形成一第一半导体装置，且在该再生材料上形成一第二半导体装置。

主权项

一种在混晶型经定位基材上形成CMOS装置之方法，其包括：提供一结合基材，其包含藉由一绝缘层而分隔的至少一具有一第一结晶配向之第一半导体层及一具有一第二结晶配向之第二半导体层，该第一结晶配向不同于该第二结晶配向，且该第一半导体层位于该第二半导体层之上；保护该结合基材之一部分以界定一第一装置区域，同时留下该结合基材之另一部分未受保护，该结合基材之该未受保护之部分界定一第二装置区域；蚀刻该结合基材之该未受保护部分，以曝露该第二半导体层之一表面；在该第二半导体层之该经曝露之表面上再生一半导体材料，该半导体材料具有一与该第二结晶配向相同之结晶配向；平坦化包含该半导体材料之该结合基材，以使该第一半导体层之一上表面与该半导体材料之一上表面大体上处于同一平面；及在该第一装置区域中形成至少一第一半导体装置，而在该第二装置区域中之该半导体材料上形成至少一第二半导体装置。