具有凸半球结构的硅平台制备方法

摘要

一种微机电系统技术领域的具有凸半球结构的硅平台制备方法，包括：在硅基片上旋涂一层正光刻胶，将掩模板置于硅基片正上方，利用X射线透过掩模板对硅基片上的光刻胶层进行动态曝光；按照与第一步中动态曝光相垂直的方向，对硅基片进行第二次动态曝光，然后对硅基片上的光刻胶进行显影，制成带有凸半球状光刻胶硅基片；利用湿法腐蚀对硅基片进行刻蚀，当半球形光刻胶被腐蚀完毕后，硅基片表面就形成了硅凸半球形状。本发明采用移动曝光技术只需要在常温下进行，不需要对光刻胶进行高温处理，通过控制光刻胶的厚度来精确得到任意弧度的硅凸半球，可得到的最大弧度为180°。

主权项

1、一种具有凸半球结构的硅平台制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步、在硅基片上旋涂一层正光刻胶，将掩模板置于硅基片正上方，利用X射线透过掩模板对硅基片上的光刻胶层进行动态曝光；第二步、按照与第一步中动态曝光相垂直的方向，对硅基片进行第二次动态曝光，然后对硅基片上的光刻胶进行显影，制成带有凸半球状光刻胶硅基片；第三步、利用湿法腐蚀对硅基片进行刻蚀，当半球形光刻胶被腐蚀完毕后，硅基片表面就形成了硅凸半球形状。