| 发明名称 | 用于激光割片的保护膜剂和使用保护膜剂的晶片加工方法 | ||
| 摘要 | 一种用于激光割片的保护膜剂，包括：一种溶液，在所述溶液中溶解有水溶性树脂和至少一种水溶性激光吸收剂，所述水溶性激光吸收剂选自水溶性染料、水溶性色素以及水溶性紫外线吸收剂。保护膜剂被涂覆到晶片的被加工面上，然后干燥以形成保护膜。激光割片穿过保护膜，从而由晶片制造出芯片。结果，可以有效防止在芯片的整个表面，包括它们的外周边部分上沉积碎屑。 | ||
| 申请公布号 | CN100569844C | 申请公布日期 | 2009.12.16 |
| 申请号 | CN200510120257.1 | 申请日期 | 2005.11.09 |
| 申请人 | 东京应化工业株式会社;株式会社迪斯科 | 发明人 | 高梨博;川上敦史;吉川敏行;北原信康 |
| 分类号 | C08L29/04(2006.01)I;C08K5/09(2006.01)I;B23K26/18(2006.01)I | 主分类号 | C08L29/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 蔡胜利 |
| 主权项 | 1.一种用于激光割片的保护膜剂，包括：一种溶液，在所述溶液中溶解有水溶性树脂和至少一种水溶性激光吸收剂，所述水溶性激光吸收剂选自水溶性染料、水溶性色素以及水溶性紫外线吸收剂，对于波长为355nm的激光，所述溶液中的固体成份的g吸收系数k在3×10-3至2.5×10-1abs·L/g.cm的范围内，所述保护膜剂包含在100份重量的水溶性树脂中的激光吸收剂的量为0.01-10份重量。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||