闪存器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种闪存器件的制造方法，该方法包括在半导体衬底上方形成多个栅极图案；在所述半导体衬底上方并且抵靠每一个栅极图案形成第一间隔垫以及在该第一间隔垫上方形成第二间隔垫；在半导体衬底中以及各个栅极图案之间形成杂质区；移除所述第二间隔垫；以及随后在含有栅极图案和第一间隔垫的半导体衬底上方形成金属前介质薄膜。可移除所述第二间隔垫以扩张栅极图案之间的空间从而防止栅极图案之间的空隙产生。

主权项

1.一种闪存器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成一对栅极图案，每一个栅极图案具有含有栅极绝缘薄膜、标绘栅、第二栅极绝缘薄膜以及控制栅的多层结构；在每一个栅极图案的侧墙上都形成第一间隔垫和第二间隔垫；使用所述栅极图案、第一间隔垫以及第二间隔垫作为掩模通过将离子杂质注入到预定区域形成杂质区；移除所述第二间隔垫；在含有所述栅极图案以及留有所述第一间隔垫的半导体衬底上形成金属前介质，其中移除所述第二间隔垫包括使用化学下游干刻工艺在常温、50到1000W的微波功率、10到1000帕斯卡的气压、O2以50到500sccm的流速、CF4气体以100到500sccm的流速以及N2气以10到100sccm的流速的条件下，执行10到100秒。