发明名称 发光二极管的制造方法
摘要 本发明揭示一种发光二极管的制造方法。制造方法包含准备基板以及将发光晶片安装于基板上的步骤。将中间板定位于基板上。中间板具有用于接纳发光晶片的通孔以及在中间板的上表面上用于连接的通孔彼此的凹槽。藉由将凹槽用作流槽来用透明模制材料执行转注成形工艺以形成填充通孔的第一模制部分。此后,移除中间板,且将基板分离成个别发光二极管。因此,有可能提供经由转注成形工艺形成的第一模制部分定位于由基板的切割表面所包围的区域内的发光二极管。由于第一模制部分定位于由基板的切割表面所包围的区域内,因此第二模制部分可以各种方式对称地形成于第一模制部分的侧表面上。
申请公布号 CN100570913C 申请公布日期 2009.12.16
申请号 CN200680036383.1 申请日期 2006.08.17
申请人 首尔半导体株式会社 发明人 李相旼;崔爀仲;金元镒
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人 韩明星;冯 敏
主权项 1、一种发光二极管的制造方法,其特征在于其包含以下步骤:准备基板;将发光晶片安装于所述基板上;将中间板定位于所述基板上,所述中间板具有用于接纳所述发光晶片的通孔以及在所述中间板的上表面上用于连接所述通孔彼此的凹槽;将所述凹槽用作流槽来用透明模制材料执行转注成形工艺以形成填充所述通孔的第一模制部分;移除所述中间板;以及将所述基板分离以成为单个发光二极管。
地址 韩国首尔