制造具非对齐晶格磊晶延伸及源极及汲极区域之应变通道互补金氧半导体电晶体的结构与方法

摘要

本发明提供一种结构与方法，其中一n型场效电晶体(NFET)及一p型场效电晶体(PFET)各具有一安置于一第一结构之单晶层的通道区域，且将一应力以一第一量值施加至该PFET之一通道区域而不以彼量值施加至该NFET之通道区域。藉由一与该第一半导体为非对齐晶格之第二半导体的一层施加该应力。该第二半导体层在一距PFET通道区域之第一距离处形成于该PFET之源极及汲极区域及延伸之上，且在一距NFET通道区域之第二、更大距离处形成于该NFET之源极及汲极区域之上，或根本不形成于NFET上。

主权项

一种具有互补金属氧化物半导体(CMOS)电晶体之积体电路，该等电晶体包括一p型场效电晶体(PFET)及一n型场效电晶体(NFET)，每一该NFET及该PFET具有一安置于一第一半导体之一单晶层之通道区域，其中一应力以一第一量值被施加于该PFET之一通道区域，而不藉由一与该第一半导体为非对齐晶格之第二半导体层施加于该NFET之一通道区域，该第二半导体层在自该PFET之该通道区域之一第一距离处形成于该PFET之源极及汲极区域，且该第二半导体之该层进一步在自该NFET之该通道区域之一第二距离处形成于该NFET之源极及汲极区域，该第二距离大于该第一距离。