| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden ein oder mehrerer dünner Schichten, wobei ein Polymer bildendes Prozessgas zusammen mit einem Trägergas mittels eines Gaseinlassorganes (3) in eine Depositionskammer (8) einströmt, um auf der Oberfläche (7') eines auf einer dem Gaseinlassorgan (3) beabstandet gegenüberliegenden Tragfläche (4') eines Suszeptors (4) aufliegen- den Substrates (7) eine dünne Schicht insbesondere in Form eines Polymers abzuscheiden. Damit der Beschichtungsprozess bei Substrattemperaturen durchgeführt werden kann, die nur wenig höher liegen als die Temperatur der Tragfläche des Suszeptors, wird vorgeschlagen, dass das Gaseinlassorgan (3) und/oder die Tragfläche (41) derart temperiert werden, dass die Temperatur (TS) der Tragfläche (4') niedriger ist als die Temperatur (TG) des Gaseinlassorganes (3), wobei zeitlich vor dem Eintritt des Prozessgases in die Depositonskammer (8) bei einem ersten Druck (P1) in der Depositionskammer (8) das auf der Tragfläche (4') aufliegende Substrat (7) durch Wärmeabfluss zum Suszeptor (4) auf eine Substrattemperatur (TD) stabilisiert wird, die nur wenig höher ist als die Temperatur (TS) der Tragfläche (4') aber deutlich niedriger als die Temperatur (TG) des Gaseinlassorganes (3), nachfolgend der Druck (P1) in der Depositionskammer (8) auf einen Prozessdruck (P2) vermindert wird und bei Erreichen des Prozessdrucks (P2) das Prozessgas in die Depositionskammer (8) eintritt.</p> |
