| 摘要 |
1. Способ выращивания кристалла GaN для выращивания кристалла GaN на GaN-ой затравочной кристаллической подложке, включающий в себя стадии: ! приготовления упомянутой GaN-ой затравочной кристаллической подложки, содержащей первую легирующую примесь, таким образом, что коэффициент теплового расширения упомянутой GaN-ой затравочной кристаллической подложки становится большим, чем коэффициент теплового расширения упомянутого кристалла GaN, и ! выращивания упомянутого кристалла GaN на упомянутой GaN-ой затравочной кристаллической подложке до толщины по меньшей мере 1 мм. ! 2. Способ выращивания кристалла GaN по п.1, в котором упомянутая первая легирующая примесь содержит по меньшей мере один тип элемента, выбранного из группы, состоящей из In, P, Al, As, Sb, O и Si. ! 3. Способ выращивания кристалла GaN по п.2, в котором упомянутая первая легирующая примесь имеет концентрацию по меньшей мере 5·1015 см-3 и не более 5·1019 см-3. ! 4. Способ выращивания кристалла GaN по п.1, в котором на упомянутой стадии выращивания упомянутого кристалла GaN в упомянутый кристалл GaN вводят вторую легирующую примесь таким образом, что коэффициент теплового расширения упомянутой GaN-ой затравочной кристаллической подложки становится большим, чем коэффициент теплового расширения упомянутого кристалла GaN. ! 5. Способ выращивания кристалла GaN по п.4, в котором упомянутая вторая легирующая примесь содержит по меньшей мере один тип элемента, выбранного из группы, состоящей из In, P, Al, As, Sb, O и Si. ! 6. Способ выращивания кристалла GaN по п.5, в котором упомянутые первая и вторая легирующие примеси содержат один и тот же тип элемента. ! 7. Способ выращивания кристалла GaN по п.1, в котором упомяну� |
