| 发明名称 | 铝引线焊垫中铜扩散缺陷的检测方法 | ||
| 摘要 | 一种铝引线焊垫中铜扩散缺陷的检测方法，提供半导体基底，所述半导体基底上具有铜互连线以及位于该铜互连线上铝引线焊垫，在所述铜互连线和铝引线焊垫之间具有金属阻挡层；对所述的半导体基底执行烘烤工艺；用清洗液清洗已执行烘烤工艺的半导体基底；执行完清洗工艺后，检测所述铝引线焊垫中的铜扩散缺陷；其中，所述清洗液对铜的刻蚀速率大于对铝的刻蚀速率。本发明还提供一种铝引线焊垫的制造方法。本发明的能够提高检测的准确度。 | ||
| 申请公布号 | CN101593713A | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200810112780.3 | 申请日期 | 2008.05.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 梁昌;唐海侠 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1、一种铝引线焊垫中铜扩散缺陷的检测方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上具有铜互连线以及位于该铜互连线上铝引线焊垫，在所述铜互连线和铝引线焊垫之间具有金属阻挡层；对所述的半导体基底执行烘烤工艺；用清洗液清洗已执行烘烤工艺的半导体基底；执行完清洗工艺后，检测所述铝引线焊垫中的铜扩散缺陷；其中，所述清洗液对铜的刻蚀速率大于对铝的刻蚀速率。 | ||
| 地址 | 100176北京市经济技术开发区文昌大道18号 | ||