发明名称 |
石英玻璃坩埚及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种石英玻璃坩埚及其制造方法。本发明所提供的石英玻璃坩埚圆形程度高,其用于半导体材料的单晶硅或太阳电池材料的多晶硅等的拉晶。其为用于硅晶的拉晶的石英玻璃坩埚,其特征为,至少在坩埚的壁部,坩埚内表面的圆度Sx和坩埚外表面的圆度Sy相对于和圆度为同一测定高度的最大壁厚M的比都为0.4以下(Sx/M≤0.4、Sy/M≤0.4),另外,至少在坩埚的壁部,自坩埚内表面的中心到坩埚外表面的中心的距离L为坩埚外表面的最长直径D的0.01倍以下(L≤0.01D)。 |
申请公布号 |
CN101591801A |
申请公布日期 |
2009.12.02 |
申请号 |
CN200910149741.5 |
申请日期 |
2009.05.27 |
申请人 |
日本超精石英株式会社 |
发明人 |
岸弘史 |
分类号 |
C30B15/10(2006.01)I;C30B28/10(2006.01)I;C03B20/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B15/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
岳雪兰 |
主权项 |
1、一种石英玻璃坩埚,用于硅结晶的拉晶,其特征在于,至少在坩埚的壁部,坩埚内表面的圆度Sx和坩埚外表面的圆度Sy相对于和圆度为同一测定高度的最大壁厚M的比都为0.4以下,即Sx/M≤0.4,Sy/M≤0.4。 |
地址 |
日本秋田县 |