包含有形成于表面之铜-腈错合物之之用于二次电池的铜集电器

摘要

本发明系揭露包含有形成于表面之铜－腈错合物的铜箔或铜网，及其一制备方法，以及一锂二次电池包含一使用相同铜箔或铜网作为一集电器之电极。此锂二次电池使用一包含有形成于表面之一铜－腈错合物作为一集电器，并经由施加一特定电压水准，在远离正常驱动条件时，于过度放电环境下，能够预防在一3.6V或更高之电压所产生之铜腐蚀，进而能够明显地改善过度放电后之电容量修复能力。

主权项

一种铜箔，其包含有使用腈类化合物形成于表面之一铜-腈错合物，其中，腈类化合物为以R-CN或CN-R-CN之分子式所表示的一化合物，其中R从一C2至C15烷类衍生而来。