| 主权项 |
1.一种用以制造一层间介电层之方法,此方法包含的步骤为:a)置放一备有一基板及在基板上形成的互连线路的活性母材到一腔体中;b)喷射气态的矽原材料及过氧化氢至活性母材上;及c)经由矽原材料及H2O2的综合反应在活性母材上形成层间介电层。2.如申请专利范围第1项的方法,其中矽原材料是一种四乙基正矽酸盐(TEOS)。3.如申请专利范围第1项的方法,其中矽原材料是一种改质的TEOS。4.如申请专利范围第1项的方法,其中当矽原材料及H2O2供给进入流率控制器时,钝气是同时供应的。5.如申请专利范围第1项的方法,其中当矽原材料及H2O2供给进入腔体中的分配器时,钝气是同时供应的。6.如申请专利范围第2项的方法,其中经由加入一材料至TEOS及H2O2中以形成层间介电层,此材料是从包含硼(B),磷(P)或其组合的群组中所选出之一。7.如申请专利范围第1项的方法,其中在腔体中的温度及压力范围个别地从近似-20℃至600℃及近似1托耳(Torr)至2托耳(Torr)。图式简单说明:图1A至1E是横截面图说明一种传统方法用以制造一半导体装置在其中伴随一层间介电层(ILD);图2A至2E是横截面图说明一种方法用以制造一半导体装置伴随在其中的层间介电层(ILD)是根据本发明的较佳具体实施例;及图3是一图示形成一ILD层之设备。 |
