发明名称 | 应用于高压输入垫之静电放电保护元件 | ||
摘要 | 一种应用于高压输入垫之静电放电保护元件,系作为一两阶段保护电路之一第二元件,其包括一基底;一第一MOS电晶体,配置在基底上,其中第一MOS电晶体包括一第一闸极、一第一源极以及一第一汲极,且第一闸极上系施予一偏压Vg1;以及一第二MOS电晶体,配置在基底上,其中第二MOS电晶体包括一第二闸极、一第二源极以及一第二汲极,且第二闸极与第二源极系接地,第二汲极系与第一汲极电性连接。 | ||
申请公布号 | TW200408108 | 申请公布日期 | 2004.05.16 |
申请号 | TW091133343 | 申请日期 | 2002.11.14 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 苏醒;刘孟煌;赖纯祥;卢道政 |
分类号 | H01L23/60 | 主分类号 | H01L23/60 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学园区力行路十六号 |