| 发明名称 | 用于高纵横比半导体器件的掺硼氮化钛层 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体结构中的导电接触件及用于形成导电元件的方法。接触件被用于提供到集成电路如存储装置中的绝缘层(18)下面的活性元件的电连接。导电接触件包含掺硼的源于四氯化钛的氮化钛(34)，并拥有足够的粘附到绝缘层的粘附水平，以在其被形成为大于约200埃的厚度时，可消除其从接触通道的边墙剥离及消除绝缘层的裂化。 | ||
| 申请公布号 | CN1539164A | 申请公布日期 | 2004.10.20 |
| 申请号 | CN02815213.1 | 申请日期 | 2002.07.30 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 阿马尔·德拉;苏伊特·沙兰;保尔·卡斯特罗维洛 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L23/532 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 北京金信联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张金海 |
| 主权项 | 1、一种在半导体器件中形成导电接触件的方法，半导体器件包含一穿过绝缘层的通道，通道具有边墙且延伸到含硅衬底的下面，该方法包括下述步骤：在通道内的衬底的上面沉积一层含硅化钛的层；及在硅化钛层上面沉积掺硼的氮化钛以形成导电接触件。 | ||
| 地址 | 美国爱德华州 | ||