发明名称 液晶纯化方法及装置
摘要 本发明系有关一种液晶纯化方法及装置,主要系利用电场的不对称性设计之装置,以电泳方法将废液晶之离子去除,以快速纯化液晶,透过此方法所得到纯化后之液晶阻值可高达1013Ωcm以上;该方法可进一步结合吸附去除法一并使用,达到更佳之纯化效果。
申请公布号 TWI317374 申请公布日期 2009.11.21
申请号 TW092113866 申请日期 2003.05.22
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 洪焕毅;黎致成;李月星;苏淑兰
分类号 C09K19/00 主分类号 C09K19/00
代理机构 代理人 郭雨岚;林发立
主权项 一种液晶纯化方法,至少包含下列步骤:提供一不对称之电场环境,用以降低液晶之介电性质对离子于电场中造成之影响,前述不对称之电场环境系由具有面积差异之正极及负极所形成;及将液晶置于前述不对称之电场环境中,使液晶中之离子于电场中迁移吸附于正负极上,达到快速去除离子之效果;前述吸附之方法为提供一孔洞吸附剂于前述正极及负极上,该孔洞吸附剂包含氧化铝、矽胶、活性氧化铝、沸石或氧化钛。
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号