单闸极之非挥发性记忆体及其操作方法

摘要

一种单闸极之非挥发性记忆体及其操作方法，此非挥发性记忆体是在半导体基底内嵌电晶体及电容结构，电晶体包含第一导电闸极、第一介电层与多个第一离子掺杂区，而电容结构则包含第二导电闸极、第二介电层与第二离子掺杂区，且第一导电闸极与第二导电闸极系相电连接而形成记忆胞之单浮接闸极，此单闸极记忆胞乃可藉由逆向偏压进行写入以及相关之抹除及读取等操作，另外，有隔离井区之操作时，可藉由施加正负电压于汲极、闸极及矽基底或井区，来产生反层，以降低绝对电压，减少升压电路的面积，并达成降低电流消耗的目的。