磁存储装置

摘要

本申请提供一种磁存储装置，通过使存储单元结构最优化来共同确保两条写入布线的可靠性。设位线(10)的布线宽度和厚度分别是W1和T1，数字线(5)的厚度为T2，从数字线(5)的厚度方向中心到MTJ元件(8)的自由层厚度方向中心的距离为L1，设数字线(5)的布线宽度为W2，从位线(10)的厚度方向中心到MTJ元件(8)的自由层厚度方向中心距离为L2，则以在L1/L2≥1的情况下，满足(1/3)·(L1/L2)≤S2/S1≤1的方式，在L1/L2≤1的情况下，满足1≤S2/S1≤3(L1/L2)的方式来设定距离L1、L2、布线截面积S1和S2。

主权项

1.一种磁存储装置，包括：非接触交叉的第一和第二写入布线；以及设置在上述第一和第二写入布线的交叉部并且设置在上述第一和第二写入布线之间，且含有磁隧穿结的磁隧穿结元件，上述磁隧穿结元件具有由强磁体构成的自由层，上述强磁体的磁化方向随上述第一和第二写入布线中流过的电流引起的磁场而可变更，在上述第一写入布线的厚度方向中心与上述自由层的厚度方向中心之间的距离为L1，上述第二写入布线的厚度方向中心与上述自由层的厚度方向中心之间的距离为L2，上述第一写入布线的宽度方向的截面积为S2，上述第二写入布线的宽度方向的截面积为S1的情况下，当上述距离L1对于上述距离L2的比为L1/L2≥1时，以满足(1/3)·(L1/L2)≤S2/S1≤1的方式，设定上述距离L1、上述距离L2、上述截面积S1和上述截面积S2。