| 摘要 |
Eine Projektionsoptik (8) für die Mikrolithografie dient zur Abbildung eines Objektfeldes (5) in einer Objektebene (6) in ein Bildfeld in einer Bildebene (10). Eine Intensitäts-Korrektureinrichtung (25; 32; 35; 36) dient zur Korrektur einer Intensitätsbeaufschlagung einer Feldbeleuchtung. Die Intensitäts-Korrektureinrichtung (25; 32; 35; 36) ist im Bereich mindestens einer Korrektur-Feldebene (23, 24, 10) der Projektionsoptik (8) angeordnet. Die Korrektur-Feldebene ist der Objektebene (6) nachgeordnet. Es resultiert eine Projektionsoptik, bei der eine Korrektur von unerwünschten Variationen von Beleuchtungsparametern, insbesondere eine Korrektur einer unerwünschten Variation einer Feld-Beleuchtungsintensitätsverteilung, möglich ist.
|
