发明名称 |
基于双自举和电压补偿技术的A/D转换器采样开关 |
摘要 |
本发明公开了一种基于双自举和电压补偿技术的A/D转换器采样开关,包括:主开关单元,用于待采样信号通路,实现对待采样信号的采样功能;衬底电压自举单元,用于实现主开关单元中开关管PMOS Switch的衬底电压自举功能;栅极电压自举单元,用于实现主开关单元中开关管PMOS Switch的栅极电压自举功能;储压单元,用于对输入信号V<sub>IN</sub>进行并行采样,实现V<sub>IN</sub>电压的暂时存储功能;电压补偿单元,用于实现输出端V<sub>OUT</sub>采样输出电压的补偿功能。本发明设计出可以工作在低电压下,低功耗、对工艺误差不敏感的采样开关;同时,采取电压自补偿的办法进行消除,有效解决了开关管栅电压自举后出现时钟溃通带来的非线性问题。 |
申请公布号 |
CN101577545A |
申请公布日期 |
2009.11.11 |
申请号 |
CN200810106010.8 |
申请日期 |
2008.05.07 |
申请人 |
中国科学院电子学研究所 |
发明人 |
杨海钢;刘珂;尹韬 |
分类号 |
H03M1/06(2006.01)I;H03M1/12(2006.01)I;H03K17/14(2006.01)I;H03K17/687(2006.01)I;G11C27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H03M1/06(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
1、一种基于双自举和电压补偿技术的A/D转换器采样开关,其特征在于,包括:主开关单元,用于待采样信号通路,实现对待采样信号的采样功能;衬底电压自举单元,用于实现主开关单元中开关管PMOS Switch的衬底电压自举功能;栅极电压自举单元,用于实现主开关单元中开关管PMOS Switch的栅极电压自举功能;储压单元,用于对输入信号VIN进行并行采样,实现VIN电压的暂时存储功能;电压补偿单元,用于实现输出端VOUT采样输出电压的补偿功能。 |
地址 |
100080北京市海淀区北四环西路19号 |