发明名称 |
高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统 |
摘要 |
本实用新型公开了一种高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统,属于微电子机械设备领域。所述系统包括密封的成膜腔,在所述成膜腔内设置有真空吸盘,所述真空吸盘与旋转马达的转子相连接;在所述成膜腔内部还设置有加热装置;所述成膜腔通过管路分别与外部二氧化碳钢瓶、反应气体钢瓶以及成膜液体罐相连通;此外,所述成膜腔还连接有与外部连通的排气管。此系统可以制备各种可以旋涂成膜的薄膜以及化学反应成膜。利用二氧化碳超临界流体的特殊性质,可以实现薄膜生长的应力可调。通过对压力和转速的控制,实现膜厚可控。该设备的发明解决了在MEMS工艺薄膜制备过程中残余应力大,薄厚膜制备困难等问题,可以大大推动MEMS工艺的发展。 |
申请公布号 |
CN201342395Y |
申请公布日期 |
2009.11.11 |
申请号 |
CN200820124294.9 |
申请日期 |
2008.12.11 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
景玉鹏;惠瑜 |
分类号 |
B05C9/00(2006.01)I;B05C11/08(2006.01)I;B05D3/02(2006.01)I;C23C26/00(2006.01)I |
主分类号 |
B05C9/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京市德权律师事务所 |
代理人 |
王建国 |
主权项 |
1、一种高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统,其特征在于,所述系统包括成膜腔,在所述成膜腔内设置有真空吸盘,所述真空吸盘与旋转马达的转子相连接;在所述成膜腔内部还设置有加热装置;所述成膜腔通过管路分别与外部的二氧化碳钢瓶、反应气体钢瓶以及成膜液体罐相连通;此外,所述成膜腔还连接有与外部连通的排气管。 |
地址 |
100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 |