发明名称 一种可提高磁盘阵列性能的装置
摘要 本发明公开了一种可提高磁盘阵列性能的装置,属于一种提高磁盘阵列性能技术领域,其结构包括主机接口、RAID控制器I、RAID控制器II、磁盘控制器和磁盘阵列;主机接口和RAID控制器I之间通过高速PCIE总线直接相连或者通过光纤、以太网、SAS从互联网络连接,RAID控制器I与RAID控制器II之间和RAID控制器II与磁盘控制器之间均通过高速PCIE总线相连,磁盘控制器通过数据线连接磁盘阵列。本发明的一种可提高磁盘阵列性能的装置和现有技术采用孤立的控制器提高磁盘阵列性能的方法相比,借助双控制器各自独立的DMA通道,进行双控制器并行处理,从而大大提高磁盘阵列的整机性能。
申请公布号 CN101576806A 申请公布日期 2009.11.11
申请号 CN200910016157.2 申请日期 2009.06.12
申请人 浪潮电子信息产业股份有限公司 发明人 金长新
分类号 G06F3/06(2006.01)I;G06F13/00(2006.01)I 主分类号 G06F3/06(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 1、一种可提高磁盘阵列性能的装置,其特征在于结构包括主机接口、RAID控制器I、RAID控制器II、磁盘控制器和磁盘阵列;主机接口和RAID控制器I之间通过高速PCIE总线直接相连或者通过光纤、以太网、SAS从互联网络连接,RAID控制器I与RAID控制器II之间和RAID控制器II与磁盘控制器之间均通过高速PCIE总线相连,磁盘控制器通过数据线连接磁盘阵列。
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