| 发明名称 |
LATERAL FET STRUCTURE WITH IMPROVED BLOCKING VOLTAGE AND ON RESISTANCE PERFORMANCE AND METHOD |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
HK1077920(A1) |
申请公布日期 |
2009.11.06 |
| 申请号 |
HK20050109956 |
申请日期 |
2005.11.08 |
| 申请人 |
SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C. |
发明人 |
ZIA HOSSAIN;TU SHANGHUI;TAKESHI ISHIGURO;RAJESH S. NAIR |
| 分类号 |
H01L;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/76;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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