半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件，系具备单晶矽基板(101)、设于该基板表面之碳化矽层(102)、接合于该碳化矽层所设之Ⅲ族氮化物半导体接合层(103)、及于该Ⅲ族氮化物半导体接合层上由Ⅲ族氮化物半导体所构成的超晶格构造层(104)，其构成为：碳化矽层系一立方晶且晶格常数超过0.436nm且为0.460nm以下，在组成上富含矽的非化学计量之组成的层，该Ⅲ族氮化物半导体接合层系组成为AlXGaYInZN1－αMα(0≦X,Y,Z≦1；X＋Y＋Z＝1；0≦α<1；M为氮以外之第V族元素)。

主权项

一种半导体元件，系具备单晶矽基板、设于该基板表面之碳化矽层、接合于该碳化矽层所设之Ⅲ族氮化物半导体接合层、及于该Ⅲ族氮化物半导体接合层上由Ⅲ族氮化物半导体所构成的超晶格构造层，其特征为：碳化矽层系一立方晶且晶格常数大于0.436nm且为0.460nm以下、且组成上富含矽的非化学计量之组成的层，该Ⅲ族氮化物半导体接合层之组成系为AlXGaYInZN1-αMα(0≦X,Y,Z≦1；X+Y+Z=1；0≦α<1；M为氮以外之第Ⅴ族元素)。