| 发明名称 | P-沟道功率MIS场效应晶体管和开关电路 | ||
| 摘要 | 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P-沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极-至-源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。 | ||
| 申请公布号 | CN101567388A | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200910141533.0 | 申请日期 | 2004.05.24 |
| 申请人 | 大见忠弘;矢崎总业株式会社 | 发明人 | 大见忠弘;寺本章伸;赤堀浩史;二井启一;渡边高训 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H03K17/687(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈 平 |
| 主权项 | 1、一种P-沟道功率MIS场效应晶体管，其包含具有硅区域的衬底、形成在该表面上的栅极绝缘膜以及形成在所述栅极绝缘膜上的栅极电极，所述硅区域的表面是(110)平面、(551)平面、(311)平面、(221)平面、(553)平面、(335)平面、(112)平面、(113)平面、(115)平面、(117)平面、(331)平面、(221)平面、(332)平面、(111)平面和(320)平面中的任一个平面，并且其中所述硅区域至少被用作一个沟道，该P-沟道功率MIS场效应晶体管的特征在于：硅表面的表面粗糙度当用中心线平均粗糙度(Ra)表示时不大于0.15nm，并且源极-至-栅极击穿电压不小于10V。 | ||
| 地址 | 日本国宫城县 | ||