| 发明名称 | 基片缓冲器及半导体加工设备 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种基片缓冲器及半导体加工设备，半导体加工设备的前端模块中设有基片缓冲器，基片缓冲器的盒体的后部设有后罩，后罩的下部设有排气口，可以通过排气口对基片缓冲器内部进行抽气，当气流从后罩下方的排气口排出时，可以在基片缓冲器内部形成一个横向气流，横向气流缓和的吹过基片缓冲器里的基片表面，从而实现对下方基片的吹扫，带走基片表面的颗粒，使下方的基片表面获得较好的吹扫效果。 | ||
| 申请公布号 | CN201336301Y | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200820124223.9 | 申请日期 | 2008.12.02 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 陈德高 |
| 分类号 | H01L21/677(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/677(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵镇勇 |
| 主权项 | 1、一种基片缓冲器，包括盒体，其特征在于，所述盒体的后部设有后罩，所述后罩的下部设有排气口。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 | ||