| 发明名称 | 包括LDMOS晶体管的电子器件 | ||
| 摘要 | 本发明的LDMOS晶体管设有阶梯状屏蔽结构和/或设有第一和第二漏极延伸区，所述第一漏极延伸区具有比第二漏极延伸区高的掺杂剂浓度，并且被屏蔽件覆盖。 | ||
| 申请公布号 | CN100555661C | 申请公布日期 | 2009.10.28 |
| 申请号 | CN200480024299.9 | 申请日期 | 2004.08.24 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 斯蒂芬·J·C·H·特乌温;弗雷克·范雷杰斯;彼得拉·C·A·哈梅斯;伊沃·B·布韦尔;亨德里克斯·F·F·约斯 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 1、一种电子器件，包括设置在半导体衬底(10)的表面(11)上的晶体管(100)，该晶体管具有通过沟道(21)相互连接的源极(120)和漏极(220)，该晶体管(100)还设有用于影响所述沟道(21)中的电子分布的栅电极(43)以及位于所述栅极(43)和所述漏极(220)之间的屏蔽件(50)，该漏极(220)设有在所述衬底(10)中朝向所述沟道(21)延伸的漏极延伸区(25、26)，所述漏极(220)具有接触件(41)，所述漏极接触件(41)和所述栅极(43)通过延伸区(140)彼此分开，其特征在于：所述屏蔽件(50)在所述延伸区(140)中具有阶梯状结构，并具有倒置的L形部分(50A)、以及Z形部分(50B)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||