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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Analyse von Masken für die Photolithographie. Bei diesem Verfahren wird ein Luftbild der Maske für eine erste Fokuseinstellung erzeugt und in einem Luftbilddatensatz gespeichert. Der Luftbilddatensatz wird an einen Algorithmus übergeben, der anhand dieses Datensatzes eine photolithographische Waferbelichtung simuliert. Dabei wird die Simulation für mehrere voneinander verschiedene Energiedosen durchgeführt. Dann werden in einer vorgegebenen Höhe von der Waferoberfläche jeweils Konturen bestimmt, die Bereiche mit Photolack von solchen Bereichen ohne Photolack trennen. Das Ergebnis, d.h. die Konturen, werden für jede der Energiedosen jeweils in einem Konturdatensatz mit der Energiedosis als Parameter gespeichert. Die Konturdatensätze werden schließlich zu einem dreidimensionalen Multikonturdatensatz mit dem Kehrwert der Energiedosis als dritte Dimension verknüpft, anhand der Übergänge von Null zu von Null verschiedenen Werten in den Konturen wird ein dreidimensionales Profil des Kehrwertes der Energiedosis in Abhängigkeit von der Position auf der Maske erzeugt. Dieses Profil, das sogenannte effektive Luftbild, wird ausgegeben oder gespeichert oder automatisch ausgewertet. Dasselbe kann auch mit Schnitten durch dieses Profil geschehen.
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